在当今新能源汽车、5G通讯和光伏储能等行业迅速发展的背景下，第三代半导体材料如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）因其耐高温、快速开关和优良导热性能而备受关注。这些材料在器件键合过程中常常面临较低的良率，导致性能无法充分发挥，进而限制了其应用的广泛性。
为解决这一挑战，创新的预烧结银焊片应运而生，专为增强芯片通流能力和功率循环能力而设计，确保在高功率应用中的稳定性和可靠性。通过细致的研发，这款银焊片不仅提高了铜线键合的良率，还在极端环境下，如高低温循环、高压和高频条件下，保持器件性能的稳定性。
此焊片主要服务于功率半导体器件的键合要求，由特有的复合材料结构组成，包括具有键合功能的铜箔、烧结银、可加入的临时固定胶粘剂，以及保护膜或承载物。其在金、银、铜表面的剪切强度非常高，能够满足高功率器件的严格标准。
具有高达450℃熔点的纯银材质，预烧结银焊片不含有害助焊剂，表现出卓越的材料性能。这款焊片还支持根据特定应用需求进行定制加工，适应不同的键合场景。
这种创新的预烧结银焊片为第三代半导体的应用提供了技术支持，在提高键合良率的满足高温、高效和节能的系统设计需求。通过这种解决方案，新能源汽车、5G通讯和光伏储能等领域得以在技术和应用上获得可靠支持，推动行业向前发展。
