随着我国对高功率密度和节能系统设计的需求不断增加，创新的焊片解决方案应运而生。这款产品专门为高性能功率器件而设计，使用无压烧结银技术，保证其在高温环境下的出色性能和可靠性。以纯银为材料，熔点高达450℃，产品不含助焊剂，确保了环保和高温作业的双重需求。
这款焊片适用于全国范围的加工定制，是碳化硅芯片和传统射频器件的理想替代方案。碳化硅芯片因其耐高温、快速开关、良好导热性能、低阻抗和强稳定性，被广泛应用于多个领域中，展现出色性能。
产品的技术亮点如下：
1. 烧结银AS9385连接技术：该技术提升了芯片与导线架的连接可靠性，确保在各种应用环境下的稳定运行。
2. 卓越的导热性能：焊片的导热率达到370W/(m.K)，远超传统IGBT的硅材料（124W/(m.K)）及金属铝（220W/(m.K)），大幅度提升热管理能力。
3. 创新GVF预烧结工艺：结合DTS+TCB技术，将铜键合线与烧结工艺完美结合，显著提高了导电性、导热性和芯片连接的可靠性，为模块性能优化提供了保障。
4. 提高生产效率：通过优化模块性能和工艺，该产品有效降低了芯片破损率，加快新一代电力电子模块的上市时间，使生产率得以显著提高。
5. 高结温能力：设备结温最高可达200°C，显著降低功率限额要求，缩小芯片尺寸，从而降低整体电力成本。
选择这款焊片产品，您将获得更高效的节能系统设计。它不仅是高性能的体现，也能助力于引领行业发展的创新解决方案。此产品在提高电力电子模块性能方面展现出出色能力，将是推动新一代技术进步的重要动力。
这种焊片方案，以其创新性和高效性，完美迎合了现代节能系统设计的需求。通过显著提升芯片的导电与导热性能，它不仅提高了生产效率，也为更可持续和节能的未来打下了坚实基础。我们期待在更多领域与各行业的合作，共同推动节能技术的进步。
